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產品與方案

提供包括封裝設計、封裝、測試、可靠性驗證等成套封測方案

MOSFET 第三代半導體 智能功率模塊 IGBT 應用方案

首頁 - 產品與方案 - MOSFET - N MOSFET - 單N

單N

MOSFET
第三代半導體
智能功率模塊
IGBT
應用方案

HYG035N02KA1C2

HYG035N02KA1C2

此產品已停售，請選用HYG023N02KR1C2

HYG035N02KA1C2產品說明書

特性

低內阻

符合RoHS標準

100% DVDS測試

100% UIL測試

提升系統效率

領先的封裝工藝

優勢

通態損耗小

抗沖擊能力強

優異的導熱及散熱性能力

高可靠性性

高功率密度

穩定的工藝能力

應用

鋰電池保護板/太陽能控制器

HYG035N02KA1C2

模型

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