語言
HY12P03S
此器件為 P 溝道、-30V耐壓、10.8mΩ內阻、SOP8L封裝產品，芯片采用Trench工藝設計。該器件抗沖擊能力強，適合較低開關頻率應用，可滿足負載開關、電池保護板等應用領域。
特性
低內阻
優異的Qg
低FOM
低輸入電容
符合RoHS標準
提升系統效率
領先的封裝工藝
優勢
通態損耗小
抗沖擊能力強
高可靠性
穩定的工藝能力
驅動損耗低
應用
負載開關
DC-DC
電池保護板
此器件為 P 溝道、-30V耐壓、10.8mΩ內阻、SOP8L封裝產品，芯片采用Trench工藝設計。該器件抗沖擊能力強，適合較低開關頻率應用，可滿足負載開關、電池保護板等應用領域。
特性
低內阻
優異的Qg
低FOM
低輸入電容
符合RoHS標準
提升系統效率
領先的封裝工藝
優勢
通態損耗小
抗沖擊能力強
高可靠性
穩定的工藝能力
驅動損耗低
應用
負載開關
DC-DC
電池保護板
