技術(shù)特點

●   開發(fā)SiC、GaN晶圓劃片技術(shù)；
●   軟焊料以及高導熱燒結(jié)納米銀漿的運用；
●   DBC多芯片堆疊封裝技術(shù)；
●   高性能銅片、鋁帶焊接以及混合焊接的技術(shù)；
●   SiC超薄芯片的封裝技術(shù)；
●   產(chǎn)品電壓能做到3300V,達到AECQ101的考核標準；
●   使用高可靠的綠色環(huán)保型塑封料。

應(yīng)用領(lǐng)域

第三代半導體應(yīng)用于手機充電器、5G基站、電動汽車、軍事領(lǐng)域等。