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產品與方案

提供包括封裝設計、封裝、測試、可靠性驗證等成套封測方案

MOSFET 第三代半導體 智能功率模塊 IGBT 應用方案

首頁 - 產品與方案 - MOSFET - SGT MOSFET

SGT MOSFET

MOSFET
第三代半導體
智能功率模塊
IGBT
應用方案

HYG014N03LS1C2

HYG014N03LS1C2

此器件為 30V、1.2mΩ、PDFN5*6封裝產品，采用SGT流片工藝，可滿足如鋰電池保護板、DC-DC轉換等應用領域

HYG014N03LS1C2產品說明書

特性

低內阻、符合RoHS標準

100% DVDS測試

100% UIL測試

優勢

通態損耗小

抗沖擊能力強

應用

鋰電池保護板、DC-DC電源板

HYG014N03LS1C2

模型

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