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產品與方案

提供包括封裝設計、封裝、測試、可靠性驗證等成套封測方案

MOSFET 第三代半導體 智能功率模塊 IGBT 應用方案

首頁 - 產品與方案 - MOSFET - SGT MOSFET

SGT MOSFET

MOSFET
第三代半導體
智能功率模塊
IGBT
應用方案

HYG110N11LS1C2

HYG110N11LS1C2

此器件為 115V、9.8mΩ、PDFN8L(5x6)封裝產品，采用SGT流片工藝，該器件適合高頻應用，可滿足如同步整流，電機驅動，高頻DC-DC轉換等應用領域。

HYG110N11LS1C2產品說明書

特性

低內阻

優異的QG

低輸入電容

符合RoHS標準

優勢

通態損耗小

穩定的工藝能力

高可靠性性

應用

同步整流

AC-DC/DC-DC電源板

PD電源

HYG110N11LS1C2

模型

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